【数据世界网】5月6日消息，全球知名芯片制造商英特尔(Intel)正积极推进其四年五代工艺节点的战略。根据其计划，2021年至2024年间将陆续推出7nm、4nm、3nm、20A、18A工艺节点。其中，20A、18A工艺节点将采用极紫外光刻(EUV)，大致对应于2nm和1.8nm。
据了解，英特尔将引入两种全新工艺，分别是PowerVia背部供电和RibbonFET全环绕栅极晶体管。PowerVia技术将传统位于芯片正面的供电层改到背面，并与信号传输层分离。通过一系列TSV硅穿孔为芯片供电，大大降低供电噪声和电阻损耗，优化供电分布，提高整体能效。据悉，6月11日至16日举办的VLSI Symposium 2023研讨会上，英特尔将首次展示PowerVia技术。不过，此次展示使用的是基于英特尔4工艺的一颗测试芯片，架构为E核。
这颗测试芯片的面积仅为2.9平方毫米。由于采用了PowerVia技术，大部分区域的标准单元利用率都超过了90%，其余区域也基本都在80%以上。据数据世界网了解，PowerVia技术还带来了超过5%的频率提升，虽然吞吐时间略有提高，但是依然可接受，功耗发热情况也符合预期。
除了用于自家产品，英特尔还将使用PowerVia技术为客户代工，这也是提前展示其能力的一个原因。采用PowerVia技术的芯片将具备更高的能效和更低的电阻损耗，能够为客户提供更优秀的产品性能。
值得一提的是，英特尔将PowerVia技术与RibbonFET全环绕栅极晶体管等技术相结合，使得未来推出的芯片将具备更高的能效和更出色的性能表现，有望在行业竞争中占据一席之地。
