【数据世界】11月10日消息，美光公司日前发布了其全新显存(VRAM)路线图，宣布涵盖了 GDDR7 和 HBM4E 内存技术，标志着显存领域的进一步创新和发展。
美光目前已经推出的 GDDR6X 显存具有出色的性能，最高运行带宽可达24Gbps，容量为16Gb dies，速度高达96GB/sec。然而，根据美光的路线图，未来显存领域将迎来更多革新。据数据世界了解，2024年，美光计划推出 GDDR7 显存，其运行带宽将提升至32Gbps，容量范围将达到16-24Gb die，速度将飙升至128GB/sec。更令人振奋的是，2026年，美光将推出速度更快的GDDR7显存，带宽将达到36Gbps，而容量将采用超过24Gb die，速度将高达144GB/sec。
这一消息也引发了业内对英伟达下一代 GeForce RTX 50 系列的猜测，有望使用美光的 GDDR7 显存，预计带宽将达到32Gbps。下一代 GeForce RTX 5090 显卡预计将配备512位内存总线，由于采用了更快速的GDDR7内存，内存带宽将高达1.5TB/秒，这将为图形处理提供更强劲的性能。
此外，美光还计划在2024年推出8层堆叠的AI和数据中心专用HBM3E内存，而在2024年底到2025年初，将发布容量更大的12层堆叠HBM3E内存。HBM3E内存将提供高达24GB的容量以及超过1.2TB/秒的内存带宽。较新的12层HBM3E内存同样具备1.2TB/秒的内存带宽，但容量将扩展至36GB。
随后，美光还计划在12-High和16-High堆栈上推出下一代HBM4内存，这将进一步提升容量，范围将从36GB扩展至48GB，内存带宽也将于2025年底超过1.5TB/秒。
展望未来，到2027年，HBM4E内存将在12-High和16-High堆栈中推出，容量将进一步提升至48GB至64GB，而内存带宽将达到惊人的2TB/秒，这将进一步推动数据中心和高性能计算领域的创新和发展。美光的显存技术路线图为行业带来了更多期待，未来的计算性能和数据处理速度必将得到显著提升。
